系列专题：《挑战者的成功之道：不对称创新》

　　前面我们多次分析过三星电子在DRAM半导体业务上取胜的案例。这一案例同时也是在对称性创新上"以正合"的典型。

　　早在1982年，三星就打算从美国的德州仪器、摩托罗拉，日本的NEC、东芝、日立等公司申请64K的 DRAM技术许可，但是都被拒绝。但三星这时遇到了一个绝好的时机。在当时的国际市场上，日本半导体厂商和美国厂商在全世界开展了DRAM芯片大战，最后以美国失败告终，造成大批美国DRAM厂家倒闭或濒临破产。三星抓住时机，从美光公司获得了64K的DRAM设计许可，从Zytrex公司买来了高速MOS制程的设计，从日本夏普公司获得了制造技术，所有核心技术全部从外面引进。凭借制造家用电器用的大规模集成电路芯片的经验和生产家电产品积累的规模生产的技术，三星很快掌握了芯片组装技术，不到一年就宣布已开发出64K DRAM产品。

　　1984年，三星开始开发256K DRAM。为了加快研发进度，三星分别在国内和国外组建了两支研发队伍。国内研发团队再次从美光科技引进新的设计技术，在硅谷的研发团队则通过产品的反向工程，独立开发全部技术。最后，硅谷团队的开发成果被定为三星内部的主导设计，并于1986年开始大规模生产。在这个产品上，三星和日本的技术差距被缩短为两年。

　　1985年，三星决定自行研发1M DRAM，独自进行电路设计、晶片制造和芯片组装。这一次项目同样也分配给了国内外的两只研发队伍。通过与国内外研究机构和设备供应商的密切合作，三星于1986年3月完成电路设计。借助日本和美国企业的技术咨询帮助，三星自行设计和建造了大规模生产系统。为了更快地实现技术的追赶，三星这一次在产品研发的同时，着手建立大规模生产线。1M DRAM最终于1987年开始大规模生产，只落后日本一年。

　　80年代末90年代初，DRAM行业不景气，日本不敢投入，三星则投入大量资金开发4M DRAM，并于1988年10月完成设计，只比日本公司晚6个月。1988年三星还做了一个重要决策，就是把三星半导体通讯与三星电子合并，以加强三星在半导体DRAM制造领域的资金与资源优势。在16M产品上，三星仅落后日本3个月。

　　1990年4月，三星开始开发64M DRAM产品，终于在1992年9月几乎与对手同步开发成功。1994年8月，三星终于领先对手，开发出世界第一个256M全工作样品。有了技术资本，三星和东芝、通用仪器、ISD、三菱、NEC和富士通这样的对手结成了战略联盟。通过这些战略联盟，三星不仅可以从外部引入其所需要的技术，而且还能强化其市场竞争地位。这一时期，三星公司技术源模式已从依赖外部技术，变成了与其他对手结成战略性技术联盟来交换技术，以及通过技术并购来获取所需技术。

　　在不对称创新上，三星则"以奇胜"，以能力不对称局势创造了低成本的优势。在10年间，三星能以17.8%的市场份额获取全球第一的宝座，其有效降低成本的能力功不可没。这涉及到韩国和日本企业之间一系列的差异，比如公司体制、资源预算流程、工艺流程、设备采购和人员成本意识等方面。在控制成本上，日本人也不得不认输。日本厂商的设备一般由集团内关联企业提供，换句话说，日本厂商总是被迫购买本集团内性价比低的设备。而韩国企业则是从国际上最好的厂商采购，设备效率上就存在差别。在资本预算上，日本企业按利润决定投资额，这意味着半导体行业的景气波动会大大影响其投资预算，行业不景气的时候就会削减投资。而韩国企业为了竞争，即使在行业不景气时也大力投资。在生产的工艺流程上，日本半导体厂商也处于劣势，工艺流程比对手要长，因此成本也高。在技术人员的成本意识上，日本厂商的技术人员很少有对成本效益进行统计学分析的意识，而韩国企业各重要部门的经理都有较强的成本分析能力。在公司体制上，三星这样的韩国企业是家族企业，相对于日本企业，对市场反应更加敏感，能够在全公司上下更有效地贯彻"降低成本"的理念，还能在关键时刻持续投资拉大和对手的差距。

　　在从弱变强的四个阶段中，挑战者在每个阶段都面临着新的问题，对手的实力也同样会出现变化。因此，从弱到强的转变绝不是一条坦途。

　　但是，挑战者应该坚信，只要找对了路，就不怕路远。只要持续地进行不对称创新，为客户和社会创造价值，同时创造和竞争对手间的不对称局势，以小搏大、以弱胜强就不再是梦想，挑战者也最终能够成为强者，并实现企业家的人生理想！

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