物料检验工作指引-半导体元件
综合能力考核表详细内容
物料检验工作指引-半导体元件
Standard Success Groups Ltd.
标准志成集团有限公司
物料检验工作指引-半导体元件 受控状态
文件编号 SS-QC-021 版 本 A
页 号 1/8 生效日期 2004-4-8
1.0 参考文件
1.1 P/O单；
1.2 半导体元件规格；
1.3 工程部所签发样板
1.4 OT2型晶体管特性图示仪使用说明书
1.5 稳压二极管测试装置操作指引
1.6 发光二极管测试装置操作指引
2.0 所包括物料范围
晶体三极管/整流二极管/稳压二极管/发光二极管
3.0 允收品质水平(MIL-STD-105E)
AQL: Critical (极严重)0.0
Major(严重) 0.25
Minor（轻微） 1.0
4.0 程序
4.1 核对所进电子元件是否符合送货单和P/O单等收货资料要求
4.2 按MIL-STD-105E普通检验水平Д、单次抽样
（检查元件尺寸之样品数见4.3）
操 作 标 准
4.3 检查元件尺寸: 参照半导体元件规格和DE所签发样品
依据特殊检验水平 若元件本体或引脚尺寸超出半导体规格
S-1抽取样品数， 上要求值 Major
使用千分尺和游标
卡尺测量
4.4 检查晶体三极管/
整流二极管（整 参照半导体元件规格
流桥）等元件性能
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文件编号 SS-QC-021 版 本 A
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操 作 标 准
使用QT2型晶体管
特性图示仪进行测
试
a按QT2晶体管特性
图示仪使用说明书要
求进行测试前调校
b选择合适的测试盒
将被测管接入测试
回路中
c根据被测试管极性
选择PNP、NPN位置
，同时根据被测管所
插放位置将测试选择
开关拔至A或B
4.4.1 晶体三极管参数BUCEO
测试(见图A)
a将阶梯输入开关位置
于零电流位
b根据被测管规格上要
求将X偏转放大器(电压
/度)、Y偏转放大器(电
流/度)、功能电阻（KΩ）
、电压档级（V）均置于
合适档级
c将加在被测管的集电极
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操 作 标 准
一发射极间峰值电压 从X轴上读得被测管的集电极一发
由零逐渐加大至要求 射极间的反向击穿电压BUCEO若不
值 能达到半导体元件规格上要求值 Major
4.4.2 晶体三极管参数I CEO
(见图B)
a将Y电流/度、X电压
/度置于合适档级
b按要求值选择合适
的电压档级和合适的
功耗电阻以及将阶梯
幅度/级开关置于电
流/级合适档级
c调节峰值电压旋钮 从Y轴上读得被测管的集电极一发
使集电集电压在左下方 射极间的截止电流ICEO若超过半导体
（NPN）或右上方（PNP 元件规格上要求值 Major
）的零点开始
4.4.3 晶体三极管参数β测试
(见图C)
a将X电压/度、置于
档级；电流/度置于合
适档位
b调功耗电阻使被测管
集电极电压达到要求值
c选择合适的阶梯幅度
/级电流档
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文件编号 SS-QC-021 版 本 A
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操 作 标 准
d对所显示的IB-IC
曲线进行读数并按 经计算得出的被测管共发射级直
下式计算β= IC/IB 流放大倍数β若不符合半导体规
IB=幅度/级×级数 格上要求值 Major
4.4.4 整流二极管(整流桥
)参数IF、URM 、UF
和稳压二极管参数 从X轴读取被测整流管反向峰值电压
UZ测试（见图D） URM若不能达到半导体规格上要求值 Major
将Y电流/度、X电 从Y轴上读取被测管整流电流IF若不
压/度置于合适档级， 符合半导体规格上要求值 Major
使在被测管正、反 从X轴上读取被测管正向降压UF超过
二个方向提供合适 半导体规格上要求值 Major
的电压，可完成整 从X轴上读取被测稳压二极管稳压值
流二极管和稳压二 Uz若不符合半导体规格上要求值 Major
极管各项参数的测试
4.5 检查发光二极管性能
使用发光二极管测试 被测管发光效果不符合半导体元件
装置参照图E进行测试 规格上要求 Major
4.6 检查外观 a本体表面不光洁 Minor
b引脚镀层不均匀，有锈斑点 Minor
c本体有伤痕或缺损 Major
4.7 检查印字(标识)用干布
或汽油湿布擦15秒钟 字迹不清或褪色 Major
4.8 检查包装 a包装箱标识错漏 Minor
b不同规格元件混装 Major
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4.9 被禁止使用物质的检查
凡是物料检验规格上有标识“禁用物质”的待检半导体元件，必须对相关供应商提供的被禁止使用物质的第三方化学分析报告予以检查，是否超过相关客户（如Philips、Mattel等）的要求，合格者予以放行，不合格者退回供应商。
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注：后三页为图纸，原件粘贴处理
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1.1 P/O单；
1.2 半导体元件规格；
1.3 工程部所签发样板
1.4 OT2型晶体管特性图示仪使用说明书
1.5 稳压二极管测试装置操作指引
1.6 发光二极管测试装置操作指引
2.0 所包括物料范围
晶体三极管/整流二极管/稳压二极管/发光二极管
3.0 允收品质水平(MIL-STD-105E)
AQL: Critical (极严重)0.0
Major(严重) 0.25
Minor（轻微） 1.0
4.0 程序
4.1 核对所进电子元件是否符合送货单和P/O单等收货资料要求
4.2 按MIL-STD-105E普通检验水平Д、单次抽样
（检查元件尺寸之样品数见4.3）
操 作 标 准
4.3 检查元件尺寸: 参照半导体元件规格和DE所签发样品
依据特殊检验水平 若元件本体或引脚尺寸超出半导体规格
S-1抽取样品数， 上要求值 Major
使用千分尺和游标
卡尺测量
4.4 检查晶体三极管/
整流二极管（整 参照半导体元件规格
流桥）等元件性能
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使用QT2型晶体管
特性图示仪进行测
试
a按QT2晶体管特性
图示仪使用说明书要
求进行测试前调校
b选择合适的测试盒
将被测管接入测试
回路中
c根据被测试管极性
选择PNP、NPN位置
，同时根据被测管所
插放位置将测试选择
开关拔至A或B
4.4.1 晶体三极管参数BUCEO
测试(见图A)
a将阶梯输入开关位置
于零电流位
b根据被测管规格上要
求将X偏转放大器(电压
/度)、Y偏转放大器(电
流/度)、功能电阻（KΩ）
、电压档级（V）均置于
合适档级
c将加在被测管的集电极
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文件编号 SS-QC-021 版 本 A
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操 作 标 准
一发射极间峰值电压 从X轴上读得被测管的集电极一发
由零逐渐加大至要求 射极间的反向击穿电压BUCEO若不
值 能达到半导体元件规格上要求值 Major
4.4.2 晶体三极管参数I CEO
(见图B)
a将Y电流/度、X电压
/度置于合适档级
b按要求值选择合适
的电压档级和合适的
功耗电阻以及将阶梯
幅度/级开关置于电
流/级合适档级
c调节峰值电压旋钮 从Y轴上读得被测管的集电极一发
使集电集电压在左下方 射极间的截止电流ICEO若超过半导体
（NPN）或右上方（PNP 元件规格上要求值 Major
）的零点开始
4.4.3 晶体三极管参数β测试
(见图C)
a将X电压/度、置于
档级；电流/度置于合
适档位
b调功耗电阻使被测管
集电极电压达到要求值
c选择合适的阶梯幅度
/级电流档
编制 审核 审批
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文件编号 SS-QC-021 版 本 A
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操 作 标 准
d对所显示的IB-IC
曲线进行读数并按 经计算得出的被测管共发射级直
下式计算β= IC/IB 流放大倍数β若不符合半导体规
IB=幅度/级×级数 格上要求值 Major
4.4.4 整流二极管(整流桥
)参数IF、URM 、UF
和稳压二极管参数 从X轴读取被测整流管反向峰值电压
UZ测试（见图D） URM若不能达到半导体规格上要求值 Major
将Y电流/度、X电 从Y轴上读取被测管整流电流IF若不
压/度置于合适档级， 符合半导体规格上要求值 Major
使在被测管正、反 从X轴上读取被测管正向降压UF超过
二个方向提供合适 半导体规格上要求值 Major
的电压，可完成整 从X轴上读取被测稳压二极管稳压值
流二极管和稳压二 Uz若不符合半导体规格上要求值 Major
极管各项参数的测试
4.5 检查发光二极管性能
使用发光二极管测试 被测管发光效果不符合半导体元件
装置参照图E进行测试 规格上要求 Major
4.6 检查外观 a本体表面不光洁 Minor
b引脚镀层不均匀，有锈斑点 Minor
c本体有伤痕或缺损 Major
4.7 检查印字(标识)用干布
或汽油湿布擦15秒钟 字迹不清或褪色 Major
4.8 检查包装 a包装箱标识错漏 Minor
b不同规格元件混装 Major
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4.9 被禁止使用物质的检查
凡是物料检验规格上有标识“禁用物质”的待检半导体元件，必须对相关供应商提供的被禁止使用物质的第三方化学分析报告予以检查，是否超过相关客户（如Philips、Mattel等）的要求，合格者予以放行，不合格者退回供应商。
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